上一节讲了铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅砖需要上新台阶，我们的团队经过多高校和研发人员不懈努力，研究出来氮化硅结合碳化硅砖体中添加ZrB2材料和TiB2材料，可以大大提高氮化硅结合碳化硅砖抗冰晶石电解质熔液侵蚀和渗透的能力，甚至有效地减缓氮化硅结合碳化硅砖遭受冰晶石电解质熔液侵蚀损毁的速度，达到延长铝电解槽侧墙用新型氮化硅结合碳化硅砖使用寿命的目的。

添加含ZrB2材料和TiB2材料(ZrB2大于90％，Fe2O3小于0.3％；TiB2大于90％，Fe2O3小于0.3％)的氮化硅结合碳化硅砖的实施方式是：

在生产氮化硅结合碳化硅砖的配料过程中把ZrB2材料和TiB2材料伴随碳化硅颗粒(SiC大于97.5％，Fe2O3小于0.5％，颗粒粒度为5.0mm～0.5um，含小于0.08mm的碳化硅细粉。碳化硅的总加入量的质量百分比为60～80％)以及硅粉(Si含量要求大于96.5％，Fe2O3含量要求小于0.5％。颗粒粒度要求为小于0.08mm的硅细粉，加入量为10～25％)和外加常温结合剂(一般可采用浓度为30％左右工业糊精、浓度为30％左右的木质素磺酸钙溶液或浓度为10％左右的聚乙烯醇溶液，加入量为总配料质量的0.2～10％)一起加入强制搅拌混砂机中混合20分钟。添加ZrB2材料和TiB2材料的粒度在1mm至0.1um之间，添加ZrB2材料和TiB2材料的数量为总配料质量的0.1％～20％，添加的ZrB2材料和TiB2材料相互间的比例可任意调节。

把混合好的物料在压砖机中压制成砖坯，压砖机可以是大型振动加压成型机，也可以是～吨的摩擦压砖机，也可以是高吨位液压机。成型好的砖坯在30℃～℃的温度下干燥，干燥后砖坯的水分应控制在小于0.4％。

然后把干燥好的砖坯置于氮化炉中并通入高纯氮气(N2大于99.99％)连续加热升温，氮化炉可以是用电加热的，也可以是燃油或燃气的马弗式氮化炉，升温速度控制在20～℃/小时，升温至℃～℃温度范围时并在该温度范围下保温3～50小时(随制品厚度来定保温时间，制品厚度越大，保温时间越长。例如，90mm厚的制品，保温时间一般要达到20小时以上)。冷却至～℃时可停止通氮气。冷却至室温后即可得到含ZrB2材料和TiB2材料的新型电解槽用的，可延长电解槽使用寿命的氮化硅结合碳化硅砖。