1、单项工艺包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等，需要相应设备完成

集成电路制造工艺繁多复杂，前道制造工艺包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺：1）薄膜沉积工艺：为晶圆做加法，在晶圆上沉积一层待处理的薄膜；2）光刻工艺：涂胶机将光刻胶涂抹在薄膜上，光刻机通过光罩进行曝光，显影之后即可把光罩上的图形转移到光刻胶上；3）刻蚀工艺：为晶圆做减法，根据图形化后的光刻胶对未被光刻胶覆盖的区域进行雕刻，图形即转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。（也有工艺环节的刻蚀是无图形刻蚀）制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。

集成电路前道制造工艺及设备：

光刻：光刻机、涂胶显影机刻蚀：等离子体刻蚀、湿法刻蚀设备薄膜沉积：薄膜沉积设备，包括CVD、PVD、ALD、气相外延炉离子注入：离子注入设备热处理：氧化炉、RTP设备、激光退火CMP：CMP设备清洗：清洗设备，包括单片式清洗机、槽式清洗机等过程控制：检测/量测设备

1.1薄膜沉积

1.1.年全球薄膜沉积设备市场达到亿美元，制程升级/多层趋势+新兴工艺驱动市场增长

薄膜沉积作用是在芯片纳米级结构中逐层堆叠薄膜形成电路结构，薄膜包括半导体、介质、金属/金属化合物三大类，不同薄膜沉积时反应的原理不同，因此薄膜沉积设备的技术原理也不同，沉积过程需要物理（PVD）、化学（CVD）、原子层沉积（ALD）等设备相互补充。CVD覆盖了前道制造过程中的大部分沉积工艺，因此市场规模最高。薄膜沉积工艺的不断发展，形成了较为固定的工艺流程，同时也根据不同的需求演化出了PECVD、溅射PVD、ALD、LPCVD等不同的设备用于晶圆制造的不同工艺。其中，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型。年全球薄膜设备总市场已经达到亿美元，其中，PECVD、溅射PVD、炉管CVD、ALD、LPCVD、单晶外延EPI、镀铜ECD和MOCVD市场规模分别为65、48、31、30、22、16、10、5亿美元。

制程升级/多层架构趋势带动设备需求量：在逻辑芯片中，制程进步带来工序步骤和薄膜层数增多，比如，在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序，在3nmFinFET工艺产线，超过道薄膜沉积工序，制程从nm进步到90nm过程中，同样产能需要的薄膜设备数量呈现成倍增长；存储芯片3D化，高深宽比结构以及存储层数堆叠带来薄膜沉积设备需求增大。到20nm工艺节点之后，传统的平面浮栅NAND闪存因受到领巾浮栅-浮栅的耦合电容的干扰而达到了微缩极限，NAND闪存已进入3D时代。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。在3DNANDFEOL工艺中，在完成CMOS的源漏极之后，开始重复沉淀多层氧化硅/氮化硅形成ON叠层（ONStack），接下来进行光刻和沟道超深孔刻蚀（深宽比至少大于30:1），沉淀高质量的多晶硅薄膜和沟道深孔填充并形成栅衬垫阵列（GatePad），然后进行一系列的光刻、刻蚀、离子注入、沉积栅介质层、沉积栅极等工艺，最后进行BEOL工艺。目前层3DNAND闪存已进入大生产，层闪存已处于批量生产阶段，层正在开发，高深宽比结构以及存储层数堆叠带来薄膜沉积设备需求增大。新工艺拓宽应用场景：在栅极从多晶硅栅（Poly-SiON）向HKMG结构转变、存储结构深宽比越来越高、金属互连阻挡层薄膜越来越薄等过程中，以及多重曝光等新工艺中，传统的LPCVD/PECVD等沉积方法沉积效果有限，需要ALD工艺来沉积性能更好的薄膜并满足高深宽比等需求，在28nm以下FinFET/GAA结构中，Fin的形成需要自对准双重技术（SADP）完成，而ALD沉积的Spacer材料的宽度决定了Fin的宽度，是制约逻辑芯片制程先进的关键。

1.1.2薄膜沉积可以分为物理气相沉积和化学气相沉积，设备选型需要

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