（汇报出品方/做家：国盛证券，郑震湘、佘凌星、刘嘉元）

一、半导体征战：陆地需求快速增加，国产代替加快

1.1寰球征战商场改变高，受益于资本付出提高、制程节点提高

年寰球半导体征战商场范围创亿美元新高，陆地初次占比寰球第一。依照SEMI，年半导体征战出售额亿美元，同比激增44%，终年出售额创史籍新高。陆地征战商场在年以前占寰球比重为10%之内，~年提高至10~20%，年此后保持在20%以上，份额呈逐年上行趋向。-年，国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入，陆地半导体征战商场范围初次在商场寰球排首位，到达.2亿美元，同比增加58%，占比28.9%。预计年，保存需求苏醒，韩国瞻望将军跑寰球，但陆地征战商场范围期望保持较高比重。

北美半导体征战厂商月出售额年以来稳站30亿+美金。经历复盘半导体行业景气周期史籍，咱们以为北美半导体征战厂商月出售额关于寰球半导体行业景心胸剖析具备重大意义，北美半导体征战出售额程度常常超过寰球半导体出售额一个季度。年1月，北美半导体征战厂商月出售额初次攻破了30亿美金关隘，创史籍新高，到达了30.4亿美金。此后月度出售额逐季改变高，至12月份出售额到达39.2亿美金，同比增加46%。与此同时咱们看到寰球半导体出售商场自年4月以来毗连12个月同比增速超越20%，年3月，寰球半导体出售额到达.8亿美金，同比增加23.0%，预计终年，从各机构现时预计匀称值来看，瞻望年寰球半导体商场仍将保持10%以上同比增加。

半导体征战行业展现显然的周期性，受下游厂商资本付出节律改变较为显然。年，保存厂商的大幅资本付出促成半导体征战迎来庞大需求，且这一势头毗连毗连到年上半年。但随后产能多余以致保存代价走低，以致DRAM和NAND厂商纷纭推延征战定单。保存产能多余毗连毗邻到年上半年，同时上半年大伙半导体行业景心胸欠安，固然下半年跟着行业景心胸复原，以台积电为代表的晶圆厂毗连调高资本付出大幅扩产，年终年半导体征战需求同比仍回落约2%。年寰球各地前后受疫情影响，但保存行业资本开销修理、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各范畴强劲需求，终年征战商场同比增加19%。伴有半导体厂商新一轮资本付出开启，年寰球征战商场延续大幅增加44%。现时外埠征战龙头应用材料、泛林团体等均瞻望年寰球征战商场范围将进一步增加。

下游资本付出提高，半导体征战周期进取。伴有着下游资本付出提高，征战厂商交易收入增速从Q2触底后渐渐回暖。Q1由于疫情攻击，产物发货推延，以致单季度收入增速下调。复盘年，外埠龙头终年营收高增速：Q1：低基数高增加，北美征战出货在-01初次单月超30亿美元。征战厂商交易收入增速从Q2触底后渐渐回暖。Q1由于疫情攻击，产物发货推延，以致单季度收入增速下调。以ASML为例，疫情后营收增速复原，Q1半导体征战营收增速更是到达95.1%，ASML示意下游关于先进的光刻征战需求有增无减。

Q2：晶圆建造征战龙头预计年需求强劲，重心征战在手定单超越一年。ASML单季度收入40亿欧元，新增83亿欧元定单（个中EUV为49亿欧元）。单季度BB值创年以来最高，累计在手定单亿欧元，供货改期将毗邻到H2。终年增速指示从30%提高到35%。LamResearch单季度营收入、成本率均高于预期，公司瞻望年需求仍然很强劲本轮，资本聚集度提高在半导体范畴是周全的。KLA定单也曾经毗连至年，部份产物托付期超越12个月。

Q3：寰球各关节征战均供不该求，新增定单仍然较多。寰球光刻机龙头ASML本季度收入52亿欧元，新增定单62亿欧元，BB值毗邻高于1，且在手定单远超一年产值。前道工艺龙头LamResearch预计H2商场需求强于H1，且年将毗连增加。

Q4：寰球重心征战龙头定单大伙强劲，短期收入受限于供应链限制，瞻望年WFE增加约10~20%。个中，ASML在Q4新增定单71亿欧元，BB值2.0，累计定单充实。Q1收入仅为33~35亿欧元，瞻望有20亿欧元没法在Q1确认收入；瞻望年增加20%。LamResearch瞻望Q1同比大幅增加、环比下滑，紧要受限于零部件和输送要素；瞻望年寰球WFE增加至亿美元，增速18%。TEL瞻望Q1营收同比增加16%、环比增加1%；KLAC瞻望Q1营收22亿美元，环比下落9%，下落紧要由于供应链束缚，积存定单仍然强劲。

来日两年寰球晶圆厂征战付出毗邻增加。年疫情带来的居家及长途办公带来笔电等耗费电子需求激增做为本轮周期的催化剂，H2以车用芯片为代表的供应链发端焦虑，下游毗邻增加的需求与上游有限产能的冲突演绎为年终年行业供需失衡加重。年以来，耗费性电子、智高手机、PC等范畴需求确有下滑，但更值得留心的是寰球正步入第四轮硅含量提高周期，效劳器、汽车、产业、物联网等需求大范围提高。在6月台积电召开的股东大会上，公司办理层示意来日10年是半导体行业希奇好的机缘，紧要出处即是5G及高功效运算的遍及，生计数字化转型，带来对车用（新车半导体含量可达保守车的10倍）、手机、效劳器等末端内半导体含量的增多，促成半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会示意，虽然耗费电子，手机等存量商场投入去库存阶段，发端软降落，但高端物联网、电动车、绿色动力、产业等增量商场尚未建容身够的库存，连年来硅含量提高与晶圆厂有限的产能扩展冲突，叠加财产链变化带来的本土化产能缺口，使得公司需求大幅扩产，推出新产物工艺平台，知足客户强盛的增量需求。咱们以为疫情、寰球经济及半导体周期性固然会带来短期内的谬误定性，然而手艺提高、硅含量提高是长久撑持半导体行业毗邻起色的最关键启动力。

正因如许，年发端寰球超过的晶圆厂纷纭加快扩产提高资本付出，依照ICInsights，年寰球半导体资本付出增速到达36%，瞻望年将延续增加24%，-年将会成为自-年以来的初次CapEx毗连三年增速超越20%。半导体征战做为晶圆厂扩产的重大付出部份，依照SEMI，年寰球晶圆厂前道征战开销增速到达42%，瞻望年将进一步增加18%。

台积电、中芯国际纷纭增多资本付出，CapEx投入上行期。依照ICInsights，寰球代工场资本付出约占半导体整体的35%，依照头部代工场的资本付出筹办来看，年头工范畴资本付出将进一步提高。台积电从年亿美金增加到年的亿美金（用于N3/N5/N7的资本付出占80%），公司年4月1日告示来日三年资本付出亿美金，年资本付出将进一步提高至-亿美金，瞻望年资本付出仍期望超越亿美金；联电年CapEx18亿美金，瞻望年翻倍到达36亿美金（个中90%将用于12英寸晶圆）；GlobalFoundries于年IPO后资本付出大幅提高用于扩产，公司年CapEx4.5亿美金，年提高至16.6亿美金，瞻望年超越40亿美金；中芯国际年资本付出保持高位，到达45亿美金（大部份用于扩老练制程，希奇是8寸数目扩4.5万片/月），瞻望年到达50亿美金。

保存厂商：

三星22Q1资本开销为7.9万亿韩元，个顶用于半导体的投资为6.7万亿韩元，用于显示的投资为0.7万亿韩元。对保存的投资齐集在P3晶圆厂的投资扶植，及华城、平泽和西安工场的工艺变换，重心开拓5nm如下先进工艺的建造本事。平泽P3晶圆厂系三星寰球扶植的园区最大的晶圆厂，用于临盆保存和逻辑芯片，建成后毗连将有NANDFLASH、DRAM芯片投产，厥后也将采纳3nm工艺为其余厂商施行晶圆代工；

海力士22Q1资本开销为4万亿韩元，瞻望年资本开销将延续增加。海力士22Q1开销的4万亿韩元紧要用于对大连、利川、M15工场的投资扶植。海力士资本付出常常齐集在上半年，进而有益于促成终年位元的成长。但公司在22Q1法说会上称本年由于征战托付工夫的伸长，公司会在终年各季度更匀称的施行资本开销。其余，Solidigm的资本开销也将计入公司总资本付出中，故23年的共计资本开销将延续增多；

美光一季度资本开销26亿美元，终年资本付出指示保持在-亿美元。美光瞻望22H2与22H1资本开销将基本持平。其余，美光示意固然22Q1资本开销受制于征战托付周期的伸长，但其对终年的供应前程仍保持决心。跟着1-alphaDRAM和层NAND产物在末端商场的快速增加，公司将毗邻增强在上述工艺手艺上的投资布局，牢固先发身分。

“芯拐点”、新制程、新产能促成需求。咱们决断本轮回转首先来自于寰球“芯”拐点，行业进取；其次，先进制程带来的资本付出越来越重，7nm投资在亿美元，研发30亿美元；5~3nm投资在亿美元；7nm单元面积临盆成本跳升，较14nm直接翻倍；而且，陆地晶圆厂投建动员更多征战投资需求。

1.2前道征战占紧要部份，测试需求高增速

半导体征战依照建造关节能够分为前道晶圆建造征战、封装征战和测试征战。

前道征战占紧要部份。征战投资通常占比70~80%，当制程到16/14nm时，征战投资占比达85%；7nm及如下占比将更高。按工艺过程分类，榜样的产线向前道、封装、测试三类征战离别占85%、6%、9%。

测试需求高增加。半导体征战~年复合增加率为15%，前道、封装、测试征战增速离别为15%、11%、16%。增速最快的子项目离别为刻蚀征战（CAGR24%）和保存测试征战（CAGR27%）。依照SEMI，年寰球半导体测试征战商场范围到达77.9亿美金，同比增加29.6%，瞻望年商场范围进一步增加至81.7亿美金。

1.3寰球商场受外埠厂商主宰，前五大厂商市占率较高

寰球征战五侵占商场主宰脚色。寰球征战比赛格局，紧要前道工艺（刻蚀、堆积、涂胶、热处置、荡涤等）调度成三强AMAT、LAM、TEL。别的，光刻机龙头ASML市占率80%+；经历管束龙头KLA市占率50%。依照SEMI，ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大厂商年收入共计亿美元，占寰球商场约77%。

归纳看下来，征战五强商场在各赛道共计市占率基本在50%以上。AMSL上风在光刻方面遥遥超过；AMAT上风在产物线广，堆积（CVD、PVD）市占率高；LAM上风在刻蚀范畴；TEL上风在小赛道如涂胶、去胶、热处置；KLA上风在经历管束。

1.4外埠征战厂商在手定单饱满，供应链束缚毗连

在手定单如故强劲，供应链束缚毗连，征战大厂主动扩产。1）供应高度焦虑：ASML22Q1营收yoy-19%，下滑紧要系部份定单确认推延；毛利率同比-5pt，承压紧要系材料、供应链、输送等成本上涨；库存周转率低沉。泛林毛利率同比-1.7pt，紧要系成本压力（原材料、物流、通胀等）。2）定单如故强劲：ASML新增在手定单约70亿欧元，环比持平。KLA：现时在手定单交期整体5~6个月，部份产物7~8月。爱德万客户定单提早量增多，由于系半导体等材料和零件缺乏，交期伸长。3）主动扩产：ASML瞻望年产能最少翻番，年年产能增多到约90套0.33孔径EUV和套DUV。泰瑞达瞻望研发花费亿日元，yoy+20.1%；资本付出亿日元，yoy+31.1%，筹办金额皆较本年有大幅提高。

下半年预计达观，终年需求强劲将有定单递延至来岁。泛林Q2毛利率指示重心仍略降，毗邻成本和供应压力影响毗邻，二季度定单积存不停增多。随产能落地、产物比赛力效力显现及部份定单推延多半企业对H2预计达观。ASML瞻望H2体现强劲，毛利率约54%，高于终年52%指示，紧要由EUV和DPV出货及安设基本办理生意成本率提高启动。Q4部份EUV系统收入将递延到年。泛林瞻望WFE需求将超亿美元，未知足的征战需求将递延至来岁。泰瑞达主动创立库存及扩产，瞻望H2出货有更大增量及机动性，瞻望Q2实行增加，仅高端产物出货受限。

ASML：事迹到达预期，新增定单70亿欧元

Q1营收合适预期，快速出货形式下定单推延确认。ASML22Q1营收为35亿欧元，达指示上限，yoy-19%，qoq-29%，净成本6.95亿欧元，yoy-48%，qoq-61%，营收及净利的下落紧要系快速出货形式下部份定单确认收入工夫推延到22Q2。毛利率为49.0%，到达预期。本季度出货9套EUV系统，并确认了3套EUV征战5.91亿欧元的收入。

新增在手定单约70亿欧元。22Q1公司新增在手定单约70亿欧元，个中逻辑占66%，保存占34%。个中包罗25亿欧元的0.33孔径EUV系统和0.55高孔径EUV系统，DPV定单量为45亿欧元，反响出对先进和老练节点的毗邻强劲需求。

收入组成中，从手艺线路上看，ArFi占比最高为47%，EUV占比26%，KrF占比12%，量测和探测占比7%，干法ArF占比6%，I-line占比2%。从地区来看，华夏陆地占比34%，韩国占比29%，华夏台湾地区占比22%，日本占比7%，美国占比6%，亚洲其余地区占比1%，欧非中东共计占比1%。从末端应用上看，逻辑与保存各占50%。

泛林：短期供应受限影响收入，需求仍然强盛

供应严峻受限，事迹处于指示下限。供应链束缚对公司的收入和红利本事构成了反面影响，其余，公司还面对与供应干系的通胀压力、输送物流代价上涨、原材料成本以及集成电路的成本压力。为更好应对供应链挑战，公司采纳增多资本、与客户合营、新增额外零部件供应商等办法以提高供应链机动性。公司22Q1营收40.60亿美元，同比+5.51%，qoq-3.95%；毛利率44.7%，成本压力较大以致毛利摇动。毗邻的成本和供应束缚挑战将延续影响公司对二季度事迹的预计。

瞻望年WFE需求将超亿美元，任何未知足的征战需求都将递延至来岁。纵使供应受限，保存、代工、逻辑需求仍然希奇强劲。保存一季度营收环比增加58%，DRAM生意为公司带来了创记载的收入程度；代工一季度收入环比下落，与下乘客户投资机会干系。跟着公司本年在超过和老练节点征战投资方面的起色，瞻望这一范畴将呈现增加；逻辑一季度进献了13%的总营收，创下记载。刻蚀范畴起色前程优越，公司瞻望年这一范畴将延续增加；CSBG收入约为14亿美元，遭到了毗邻的供应链治理的反面影响，环比下落5%，但下游需求仍然强劲。公司瞻望年WFE需求将超越亿美元，任何未知足的征战需求都将递延至来岁。

预计Q2需求能见度高。虽然客户需求毗邻强劲，但基于毗邻的供应链治理，公司瞻望22Q2收入42亿美元，高低浮动3亿美元。毛利率瞻望为44.5%，高低浮动1%。公司的指示预期反响了对通货膨胀的成本处境的预期，以及对供应链履行的毗邻政策办理的需求。交易成本率瞻望为29.5%，高低浮动1%。固然公司面对供应链不停束缚产能的挑战，但需求仍然强劲。一季度收场后，公司二季度的定单积存不停增多，末端需求的能见度很高。预计终年，跟着产能的增多，瞻望下半年毛利率趋好。（汇报原因：来日智库）

爱德万测试：年事迹高增，主动筹资扩产

年度事迹高增，定单、出售额、营收及净成本均创史籍新高。财年公司收到定单比拟上年由3,亿日元增至7,亿日元，同比增多.82%，交易收入同比62.2%增至亿日元，净成本同比25.1%增至亿日元。个中净成本的增加相对较小，主如果由于日本税负结转管帐规定的调度和上一财年计提递延所得税物业的税收担负低沉而至。大伙上，公司受益于半导体需求长久增长和事迹改良的趋向。定单增加紧要由于半导体等材料和零件的缺乏，产物交货工夫更长，公司的干系客户定单提早量增多。21Q4交易收入和税前收入也创下了表露季度财报以来的史籍新高，紧要受益于：客户提早订购测试征战量增多、征战品种加多，测试征战生意和系统级测试生意的增加启动了机电一体化系统和效劳扶助生意的事迹增加，同时公司在购买须要零件方面的完备节减了半导体元件和须要零件缺乏的影响。

毛利率改良，增多研发投入并筹办资本，为来日产能和生意增长奠基基本。财年公司毛利率为56.6%，较年的53.8%略有提高，紧要受益于大伙出售中高附加值测试征战占统统高功用半导体的比例增多，增多了智高手机和数据重心干系征战的高端SoC半导体测试征战的出售额，改良产物组合。公司自21Q2发端对在美国的产能增长施行投资，并在第四时度进一步投资。

多方需求增多使公司对财年事迹持达观立场，需求的增加紧要受益于手艺的增加。SoC测试征战的需求紧要来自于半导体和干系建造工艺的繁杂性增多，内存测试征战的需求侧启动力主如果袖珍化、高密度以及更高的速度和带宽等趋向数据重心对HPC征战的高需求方面，公司有期望增多DRAM测试征战的出售。由于对征战接口产物的毗邻高需求，公司瞻望纳米手艺产物的出售额也将增多，这与测试征战生意和EUV光刻手艺的日趋遍及亲近干系。紧要的痛苦仍然来自于购买半导体和其余零件，公司将与正在开拓超过半导体手艺的客户合营。

KLA：把握先进封装和汽车电子机会

公司FY22Q3营收22.89亿美元，yoy+26.88%，挨近以前的事迹指示上限；净成本7.76亿美元，yoy+28.92%，qoq+1.95%。把握先进封装和汽车电子机会。公司FY22Q3在汽车应用的晶圆探测收入方面创下有史以来最高客户参加度。欺诈半导体工艺管束（SPC）和电子、封装、组件（EPC）的组合，公司增强在先进封装和汽车电子范畴的开拓。公司张大产物组合，开拓一套周全的产物和手艺，包罗用于先进封装商场的晶圆级封装、终究组装和测试产物，以及一套旨在辅助客户实行其零毛病目对象探测系统和工艺器械。该产物组合包罗零毛病项目中的毗邻改良项目（CIP）商量的查验系统，如：在线模具挑选、电源征战靠得住性、封装和PCB原料。

分生意来看，半导体工艺管束及干系效劳生意FY22Q3营收到达19.8亿美元，yoy+31%，qoq-4%，合适预期，个中63%营收来自于代工场和逻辑客户，37%来自于保存客户（26%来自于DRAM，11%来自于NAND）；特种半导体工艺业求实行营收11.7亿美元，yoy+28%，qoq+4%；PCB、显示器和元件探测业求实行营收1.93亿美元，yoy-6%，qoq+2%。

分产物来看，晶圆探测系统实行营收9.19亿美元，yoy+29%，qoq-17%，该部份营收占比40%；图案制做（包罗光罩探测）收入为6.11亿美元，yoy+53%，qoq+20%，营收占比27%；特种半导体工艺收入为1.06亿美元，yoy+38%，qoq+1%，营收占比5%；PCB、显示器和元件探测收入为1.23亿美元，yoy-13%，qoq+1%，营收占比5%；效劳营收到达4.88亿美元，yoy+14%，qoq+7%，营收占比21%，该部份增加超预期紧要系长久效劳协定的增加、产能欺诈率的提高以及保守节点效劳的拓展等。

事迹预计：瞻望下一季度总收入瞻望为24.25亿美元，高低浮动1.25亿美元；代工/逻辑瞻望约占半导体工艺管束系统收入的56%，保存瞻望约占44%，在保存中，DRAM瞻望约占细分商场的66%，NAND瞻望约占34%。

泰瑞达：汽车和闪存商场强劲

事迹高于指示中点，汽车和闪存商场需求强劲。22Q1交易收入达7.55亿美元，yoy-3.36%，qoq-14.65%。22Q1毛利率为60.2%，同比增加1.10pct，环比增加0.70pct。营收中产业主动化收入同比提高29%。公司示意当前不停增加的汽车征战繁杂性、ADAS干系器件和电动汽车征战是SoC测试的长久启动力，来日SoC测试需求主如果在汽车末端商场，瞻望年高端商场总量将到达40~50亿美元。保存器商场将保持不变，个中NAND需求将增强，DRAM需求将毗邻减轻。

东京电子：营收高增，半导体商场热度不减

营收大幅提高，半导体商场热度不减。公司FY22总营收为2万亿日元，yoy+43.2%，紧要收获于寰球经济的渐渐苏醒、碳中庸的渐渐推行以及通讯手艺的不停起色带来的半导体需求提高；个中日本国内营收为.7亿日元，yoy+16.6%，占比11.5%；外埠营收为1.77万亿日元，yoy+47.6%，占比88.5%。归母净利.8亿日元，yoy+79.9%。毛利率达45.5%，yoy+5.1pt。

分生意看：SPE半导体临盆征战：在社会数字化的促成下，从顶端的半导体到老练的几代半导体需求猛烈，资本方对DRAM和NAND闪存的投资也延续保持在高程度。FY22SPE部门对外营收为1.94万亿日元，yoy+47.8%，占比97%。FPD平板显示器临盆征战：跟着电视用大尺寸液晶面板的资本投资已基本走到十分，FPDTFT阵列的大伙建造征战商场开垦曾经放缓。同时，中袖珍OLED面板的资本投资仍在延续，末端产物中安设的显示器正在从LCD面板变换为OLED面板。FY22前三季度该部门的营收为.3亿日元，同比节减28.6%，占比3%。

预计：公司瞻望FY营收2.35万亿日元，yoy+17.3%，个中SPE部门营收2.29万亿日元，yoy+18.1%；FPD部门营收亿日元，yoy-8.1%；归母净利亿日元，yoy+19.7%。研发花费瞻望亿日元，yoy+20.1%，资本付出亿日元，yoy+31.1%。公司FY研发投入及资本付出筹办较本年有大幅提高。

1.5国内需求迸发，国产代替空间快速翻开

国内晶圆厂投资投入岑岭期。依照集微网统计，~年国内晶圆厂总投资本额离别约/1/0亿元，个中内资晶圆厂投资本额约/0/0亿元。~年国内晶圆厂投资额将是史籍上最高的三年，且来日尚有新增项方针大概。

征战国产化率较低，外埠龙头独霸性较高。我国半导体征战商场仍希奇依赖入口，从商场格局来看，细分商场均有较高齐集度，紧要参加厂商通常不超越5家，top3份额偶尔高于90%，部份征战以至呈现一家独大的景况，当前国内厂商对象商场主如果国内晶圆厂需求，希奇是内资投建的需求。制程越先进，征战投资额占比越高。征战投资通常占比70~80%，当制程到16/14nm时，征战投资占比达85%；7nm及如下占比将更高。光刻、刻蚀、堆积、经历管束、热处置等均是重大投资关节。

国内国产化渐渐起航，从0到1的经历基本告竣。朔方华创产物布局遍及，刻蚀机、PVD、CVD、氧化/散布炉、退火炉、荡涤机、ALD等征战新产物商场导入节律加快，产物工艺遮盖率及客户浸透率进一步提高，在集成电路范畴干流临盆线实行批量出售，产物加快迭代；第三代半导体、新式显示、光伏征战产物线进一步拓宽，出货量实行较快增加。拓荆科技做为国内唯独一家财产化应用PECVD和SACVD征战的供应商，PECVD累计发货台，遍及用于中芯国际、华虹团体、长江保存、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内干流晶圆厂，PEALD已实行出售；中微公司介质刻蚀机曾经打入5nm制程，新款用于高功用Mini-LED量产的MOCVD征战UniMaxQ1定单已超腔；芯源微前道涂胶显影征战在28nm及以上多项手艺及高产能构造方面得到起色，并实行多种重心零部件的国产代替，公司前道物理荡涤征战曾经到达国际先进程度并胜利实行国产代替，新签定单构造中前道产物占比大幅提高；华海清科CMP征战在逻辑芯片、3DNAND、DRAM建造等范畴的工艺手艺程度已离别攻破至14nm、层、1X/1Ynm，到年关，公司CMP征战累计出货超越台，未发分娩物的在手定单超70台。Mattson（屹唐半导体）在去胶征战市占率寰球第二；盛美半导体单片荡涤机在海力士、永存、SMIC等产线量产。精测电子、上海睿励在丈量范畴攻破外埠独霸。

征战国产化率较低，国产厂商生漫空间庞大。我国半导体征战商场仍希奇依赖入口，当前国内厂商对象商场主如果国内晶圆厂需求，希奇是内资投建的需求，潜在收入对象空间较大。

1.6Q1国产征战厂商营收毗邻高增

年及Q1征战收入、成本快速增加，国产代替毗邻深入。征战行业重心公司（朔方华创、芯源微、华峰测控、中微公司、新益昌、长川科技、万业企业、精测电子、至纯科技，拓荆科技、华海清科及盛美上海由于年纪据不完备未被算入）Q1交易收入合计76.2亿元，同比增加55.3%；扣非归母净成本11.4亿元，同比增加83.0%。征战行业毗邻处于高速增加，国产代替空间快速翻开，国内重心征战公司成长可期。

征战厂商在手定单足量，契约欠债保持较高增速。Q1，征战板块紧要公司契约欠债共计离别为.5亿元，同比增加76.2%，保持高增速。个中，朔方华创Q1契约欠债到达50.9亿元。

陆地12寸晶圆厂建厂潮动员征战需求毗邻增加。临盆效率及低沉成本要素促成下，寰球8寸扩产放缓，12寸晶圆厂扩产热火朝天。年以来，国内12寸晶圆厂随地着花，除中芯国际外，闻泰、格科微、海芯等公司纷纭商量扶植12寸晶圆厂，粤芯半导体、华虹无锡等12英寸临盆线毗连建成投产。依照SEMI，年至年，寰球最少新增38个12寸晶圆厂，个中华夏台湾11个，华夏陆地8个，到年，华夏12寸晶圆产能将占寰球约20%。大批晶圆厂的扩建、投产，将动员对上游半导体征战的需求提高，更期望为国产化征战翻开起色空间。

二、光刻机：半导体系程工艺重心关节，将掩膜板图形节减

光刻是将掩膜板上的图形暴光至预涂了光刻胶的晶圆表面上的经历。光刻胶（正胶）遭到照耀的部份，将产生化学改变，进而易溶于显影液。瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)。CD为关键尺寸，为了低沉CD，有三种方法：（1）低沉波长λ；（2）提高镜头的数值孔径NA；（3）低沉归纳要素k1。临盆参数：（1）分辩率：可到达最小光刻图形尺寸；（2）套准精度：图形尺寸在亚微米数目级上，套刻过失在特性尺寸10%；（3）产率：对给定掩膜板，每小时能暴光的晶片数目。商量晋级：来往式——挨近式——步进式。光源晋级：年以前，以g线（nm）为主，最小线宽为1um以上；年此后，呈现小批i线（nm）光刻机，最小线宽0.5um；年发端呈现DUV光刻机，最小线宽为0.25um；踏入21世纪，nm的深紫内线发端操纵。

EUV的采纳利好光刻、经历管束（ASML、KLA）。依照ASML，45K/M的logic产能，每一层需求一台EUV；K/M的DRAM产能，每一层需求1.5~2台EUV。预估TSMCN7操纵7层；N5操纵14层。ASML预估EUV层数10~20层，当前工艺总层数多达~层。

光刻机起色史籍，两次手艺分水岭奠基格局改变。3~4年为第一个分水岭：ASML筛选浸湿式，Nikon筛选nm。年为第二个分水岭：EUV量产，差异拉大。

年，寰球光刻机商场约亿美元，占寰球半导体系造征战商场21%。光刻机商场毗连以来在寰球征战商场中的比重都较高，具备较高手艺难度，而且单台征战代价量也较高，属于半导体系造征战的“皇冠”。光刻机单机代价量高，每年出货数目约~台。依照ASML、Nikon、Canon三家光刻机财报数据统计，近两年寰球光刻机每年出货量大概在~台之间，大伙均价约0.3亿美元。个中紧要产物是KrF约90~台，ArFi约90~台。近几年EUV出货量在渐渐增加，寰球唯一ASML完备供应本事，每年出货30~50台，均价超越1亿美元。

光刻机的供应有限，前三大晶圆建造超过厂商侵夺大部份需求。ASML在年全豹出售34台EUV光刻机，年EUV光刻机的产能将增加到45~50台。从史籍需求端来看，寰球90%以上的EUV光刻机由TSMC、Samsung、Intel三家购买，其余诸如代工场GobalFoundries、保存厂海力士、美光每年至多购买1台光刻机。

SML主宰寰球光刻机商场。从光刻机格局来看，年ASML侵夺寰球光刻机商场84%的商场空间，Nikon约7%，Canon约5%。ASML具备高度的独霸身分，而且由于EUV高出式的晋级提高，ASML在手艺上的超过性愈加显然。

国内上海微布局前道光刻机征战。上海微电子配备（团体）股分有限公司紧要全力于半导体配备、泛半导体配备、高端智能配备的开拓、商量、建造、出售及手艺效劳。公司于2年设立，6年公司光刻机产物备案字号得到国度工商局答应。8年十五光刻机强大科技专项经历了国度科技部机关的验收。9年托付首台先进封装光刻机产物。年公司国产首台用于2.5代AM-OLEDTFT电路建造的光刻机胜利托付用户。年，公司首台暨国内首台前道扫描光刻机托付用户。年，公司90nm光刻机项目经历正式验收。公司创立了产物开拓经历的手艺改变以及常识产权守护的轨制程序与办理机关编制，并于年经历GB/T-国度常识产权办理编制考核认证，编制涵盖了产物的预研、商量、建造以及商场投放等全经历。

三、刻蚀征战：等离子刻蚀繁杂程度高，且关节渐渐增多

刻蚀是用化学、物理、化学物理连合的办法有筛选的去除（光刻胶）启齿下方的材料。被刻蚀的材料包罗硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻毗邻系的图形化处置工艺。刻蚀即是欺诈光刻胶等材料做为遮掩层，经历物理、化学办法将基层材猜中没有被表层遮盖层材料遮盖的地点去掉，进而鄙人层材料上得到与掩膜板图形对应的图形。

湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。初期广泛操纵，在3um此后由于线宽管束、刻蚀方位性的限定，紧要用干法刻蚀。当前，湿法刻蚀仍用于特别材料层的去除和残留物的荡涤。干法刻蚀：罕用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底走漏于气态中构成的等离子，与走漏的表面材料产生物理反响、化学反响。刻蚀紧要参数：刻蚀速度、匀称性、筛选比（对不同材料的刻蚀速度比）、刻蚀坡面（各向异性、各向同性）。

应用最遍及的刻蚀征战是ICP与CCP，手艺起色方位是原子层刻蚀（ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP：能量高、精度低，紧要用于介质材料刻蚀（构成表层线路）——诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的来往孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线来往孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP：能量低、精度高，紧要用于硅刻蚀和金属刻蚀（构成底层器件）——硅浅槽阻隔（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅构造、金属栅构造、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像手艺中的多道刻蚀工艺。ALE：手艺起色方位，能详细刻蚀到原子层（约0.4nm），具备超高刻蚀筛选率。应用遍及。

光刻手艺中很多先进制程触及多重图形手艺。纵使是EUV，波长为13.5nm，要实行7nm的精度，仍需求仰仗多重图形手艺，即屡屡刻蚀。因而制程晋级，精度越高，需求的刻蚀繁杂度、关节数目也在提高。以是刻蚀征战和化学薄膜征战成为更关键的征战。

财产起色趋向：（1）0.13um工艺的铜互连手艺呈现时（mm期间），金属刻蚀比例下落，介质刻蚀的比例大幅上涨；（2）30nm此后，多重图象手艺、软刻蚀应用的提高，硅刻蚀（ICP）的占比快速提高。（3）数十层的金属互联层（后道工艺，BEOL），精度通常在20nm以上的以CCP为主；CMOS重心器件（前道工艺，FEOL）线宽较量小，偶尔操纵20nm如下的ICP。（4）EUV在foundry/DRAM的采纳，使得刻蚀关节节减；3DNand采纳，使得刻蚀关节加多，深奥宽比刻蚀需求加多。刻蚀征战商场超越亿美元，是晶圆征战占比最高的商场。年以来，刻蚀在晶圆征战的占比从11%渐渐提高到20%以上，年起成为寰球晶圆征战中占比最高的配备种别，重大性不停提高。刻蚀征战商场基本是干法刻蚀征战，年寰球干法刻蚀征战商场约亿美元，个中介质刻蚀（DielectricEtch）60亿美元，导体刻蚀（ConductorEtch）76亿美元。

刻蚀由外埠龙头主宰，国内公司保持快速增加。依照Gartner，寰球刻蚀企业前三大离别是LamResearch、TEL、AMAT，寰球市占率共计91%。国内刻蚀生意前三大企业离别为中微公司、朔方华创、屹唐半导体。年国内的刻蚀龙头企业中微公司、朔方华创的刻蚀生意都得到较高收入增加，并在范围体量渐渐挨近寰球前五大厂商。

从导体刻蚀商场构造看，Lam一家独大，长久寰球市占率超越50%；其次AMAT侵夺约30%商场份额。余下的厂商如日立高新、TEL、KLA、朔方华创、SEMES、中微公司等公司共计，在导体刻蚀共计市占率不超越20%。近两年，国内征战龙头厂商朔方华创、中微公司该产物线放量加快，渐渐提高半导体征战刻蚀供应链份额。

从介质刻蚀商场构造看，TEL一家独大，长久寰球市占率超越50%；其次Lam侵夺挨近40%的商场份额，两家厂商主宰悉数商场，寡占程度较强。寰球介质刻蚀征战供应商尚有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开拓了系列介质刻蚀配备，并担负多项强大科研项目，是国内超过的介质刻蚀征战厂商。

朔方华创是国内超过的半导体高端配备及一体化处置商量供应商。公司深耕于芯片建造刻蚀范畴、薄膜堆积范畴近20年，现已成为国内超过的半导体高端工艺配备及一站式处置商量的供应商。公司容身半导体配备、真空配备、新动力锂电配备及精湛元器件组成公司四大重心事迹集群，半导体征战品类国内最为齐备，客户遮盖中芯国际、华虹、三安光电、京东方等各财产链龙头，营销效劳辐射欧、美、亚等寰球紧要国度和地区。朔方华创ICP刻蚀机范畴国内超过，金属刻蚀8英寸打垮外埠独霸，12英寸攻破28nm如下制程。朔方华创5年第一台8英寸ICP刻蚀机在客户端商显，12英寸刻蚀机在客户端28nm实行国产代替，年12月，朔方华创ICP刻蚀机托付攻破腔，标识着国产刻蚀机得到客户遍及认同。年公司8英寸铝金属刻蚀机投入国内干流代工场临盆线，奇特的腔室结谈判温度管束商量，可大幅提高了征战的不变性、反复性和临盆工艺程度，打垮了国际厂商长久独霸8英寸刻蚀机的局势；同时公司推出12英寸TiN硬掩膜刻蚀机，可应用于28-14nm逻辑制程中。年自立研发的国内首台应用于14nm制程的ICP刻蚀机NMCD投入上海集成电路研发重心，正式迈入14nm刻蚀工艺。

中微公司刻蚀产物线渐渐老练，从CCP向ICP快速开垦。中微公司CCP刻蚀征战应用于国际一线客户从65nm到5nm、64层及层3DNAND晶圆产线及先进封装临盆线，中微公司ICP刻蚀征战曾经趋于老练，在10家客户临盆线施行考证，并渐渐得到客户的反复定单。中微公司CCP刻蚀征战包罗双反响台PrimoAD-RIE和单反响台的HD-RIE，遮盖了65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的漫溢刻蚀应用；中微公司的ICP征战Nanova曾经累计托付超越台反响腔，在超过的逻辑芯片、DRAM和Nand厂商产线实行大范围量产。

屹唐股分占有干法刻蚀征战paradigmE系列，采纳私有的法拉第屏障电感耦合等离子(ICP)源与蚀刻偏置管束相连合，征战采纳双晶圆反响腔、双反响腔产物平台商量，紧要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到层3闪存芯片建造中几何关键关节的大范围量产。（汇报原因：来日智库）

四、薄膜征战：用于堆积物资，在征战商场占较量高

薄膜成长：采纳物理或化学办法使物资附着于衬底材料表面的经历，罕见成长物资包罗金属、氧化物、氮化物等不同薄膜。依照劳动道理不同，薄膜堆积成长征战可分为：物理气相堆积(PVD)、化学气相堆积（CVD）和内涵等种别。PVD和CVD是紧要的薄膜征战，ALD是财产手艺起色趋向。在半导体范畴，薄膜紧要分给绝缘薄膜、金属薄膜。大部份绝缘薄膜操纵CVD，金属薄膜罕用PVD（主如果溅射）。其余罕用的镀膜方法包罗ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy等。在薄膜征战大伙中，CVD的操纵越来越遍及，基于CVD起色的ALD更是行业晋级的手艺方位。

CVD：用于堆积介质绝缘层、半导体材料、金属薄膜。榜样的CVD过程包罗气体输入、气体对流、天气散布、表面吸附、表面反响、表面脱附及薄膜成核成长。（1）微米期间，化学气相堆积多采纳常压化学气相堆积（APCVD）征战，构造简捷。（2）亚微米期间，低压化学气相堆积（LPCVD）成为干流，提高薄膜匀称性、沟槽遮盖填充本事。（3）90nm此后，等离子加增强学气相堆积（PECVD）表演重大脚色，等离子体效用下，低沉反响温度，提高薄膜纯度，增强薄膜密度。（4）45nm此后，高介电材料（Highk）和金属栅（MetalGate），引入原子层堆积（ALD）征战，膜层到达纳米级别。——（a）高介电材料（Highk）代替SiO2，用于制备MOS器件的栅介质层，需求引入ALD。（b）多晶硅同步地被代替为金属栅（MatalGate）电极，也用ALD征战制备。

物理气相堆积（PVD）：欺诈挥发或溅射，实行原子从源物资到沉底材料表面的物资变化，堆积构成薄膜。物理气相堆积是一种物理气相悖响成长法，堆积经历是在真空或低压气体放电前提下，涂层物资本是固态物资，经历“挥发或溅射”后，在零件表面生成与基材功用绝对不同的新的固态物资涂层。PVD具备成膜速度高、镀膜厚度及匀称性可控好、薄膜精致性好、粘结力强及干净度高级长处。PVD能够分为真空蒸镀（VacuumEvaporator）和溅射（Sputtering）。PVD起色初期以真空蒸镀镀膜为主，特性是工艺简捷、操纵轻易、纯度较高，弱点是难以挥发某些金属和氧化物。由于溅射征战制备的薄膜愈加匀称、精致，对衬底附着性强，纯度更高，溅射征战代替了蒸镀征战。

年寰球薄膜征战商场到达亿美元，占IC建造征战21%；个中主如果CVD和PVD，共计占IC建造征战18%。个中，CVD商场范围高度89亿美元，干流是征战包罗PECVD、TubeCVD、LPCVD和ALD等。悉数薄膜商场市占率最高的是AMAT。高端范畴如ALD受ASM、TEL和Lam等外埠龙头主宰。国内布局IC建造范畴薄膜征战的紧要国产厂商包罗朔方华创和沈阳拓荆。

CVD商场紧要由外埠龙头主宰，国内朔方华创、沈阳拓荆主动布局。依照Gartner数据，寰球CVD商场前五大供应商包罗AMAT（28%）、LamResearch（25%）、TEL（17%）、Kokusai（原日立高新，8%）、ASM（11%）。国内半导体征战龙头朔方华创、沈阳拓荆在该范畴也有布局。

从PVD商场格局来看，AMAT一家独大，长久侵夺约80%的市占率。PVD商场紧要供应商包罗AMAT、ULVAC、Evatec、KLA、TEL、朔方华创等。依照Gartner，年朔方华创的半导体PVD征战寰球市占率为3%，属于国内超过身分。跟着国产代替加快，朔方华创PVD生意期望加快成长。

朔方华创在集成电路范畴可供应刻蚀机、PVD征战、单片退火征战、ALD征战、氧化/散布炉、LPCVD、单片荡涤机以及槽式荡涤机等产物，遮盖刻蚀、薄膜、散布、荡涤四大工艺模块，为集成电路范畴供应先进的工艺处置商量。由朔方华创自立研发的面向先进制程的等离子硅刻蚀机、金属刻蚀机、TiNhardmaskPVD、AlPadPVD、ALD、单片退火系统以及SiNxLPCVD等已渐渐投入集成电路干流代工场供应链编制。引领国产高端集成电路PVD薄膜工艺，公司多项产物投入国际供应链编制。公司PVD产物布局遍及，近几年毗连推出了TiNPVD、AINPVD、AlPad、ALD等13款自立研发的PVD产物并胜利财产化，可应用于集成电路、先进封装、LED等范畴。公司自立商量和临盆的exiTinHTiN金属硬掩膜PVD系统是国内首台特地针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜征战。年，公司28nm/12英寸晶圆临盆的TiNHardmaskPVD投入国际供应链编制。年公司紧随商场需求，革新征战工艺，推出合用于28-14nm制程的大马士革工艺的exiTinHTiNHardmaskPVD系统。

公司产物手艺上不停攻破，下游导入毗邻得到新起色：

硬掩板（HadMask）PVD应用较为遍及。硬掩膜为金属互连线供应精确管束和地区处置：硬掩膜工艺即是采纳选定的图象、图形或物体应付处置图象(悉数或个别)施行遮掩，来管束图象处置的地区或处置经历，遍及应用于IC制备过程的前段(FEOL)和后段工艺(BEOL)。年，朔方华创TiNPVD堆积系统得到外埠干流IC厂定单，并正式投入国际先进IC大厂。由朔方华创微电子自立商量和临盆的exiTinHTiN金属硬掩膜物理气相堆积(MetalhardmaskPVD)系统是特地针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜征战。

铝衬垫（AlPad）PVD60-28nm导入客户，更先进制程扶助加快考证。芯片器件用操纵AlPadPVD用于厥后道金属互联，供应电子记号、微链接等效用。AlPad物理气相堆积系统做为集成电路工艺中的一起重大工序，紧要应用于Bondpad和Alinterconnect工艺。公司于年推出eVictorAAlPad物理气相堆积系统（摆设8个工艺模块，可据客户需求各种化摆设）。该征战当前已投入等国内、外埠一线厂商，被应用于90~28nm制程产线，更先进制程正加快考证。年朔方华创AlPadPVD胜利进驻上海集成电路研发重心。

铜互联（CuBS）PVD已在客户得到放量定单。金属铜能够低沉互连线电阻率，因而铜互联手艺被遍及操纵。朔方华创是02转向“14-7nmCuBS多工艺腔室集成配备研发及财产化”项目履行单元。依照招招标统计，公司铜互联PVD曾经实行攻破，打垮AMAT在该范畴的独霸，极大翻开公司在PVD范畴的对象商场。

12英寸氮化硅堆积征战导入下游龙头企业。年4月7日，朔方华创THEORISSND型12英寸氮化硅堆积征战Movein国内集成电路建造龙头企业。该征战的托付，象征着国产立式LPCVD征战在先进集成电路建造范畴的应用拓展上实行重猛起色。

12英寸ALD已实行商用。朔方华创自年发端布局ALD征战，年推出量产型单片ALD征战并初次托付。公司Promi系列ALD征战是用加热的方法，经历在工艺轮回周期内分步向真空腔内增加先驱体、实行对膜层厚度的详细管束，可用于堆积Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、TiN、TaN和ALN等多种薄膜。

拓荆科技占有三个完备系列CVD产物线，累计出货量超越台套。拓荆科技设立于年4月，屡屡担负国度专项，公司占有12英寸PECVD（等离子体化学气相堆积征战）、ALD（原子层薄膜堆积征战）、SACVD（次常压化学气相堆积征战）三个完备系列产物。沈阳拓荆年推出12英寸多反响腔PF-T；年得到中芯国际首台量产机台PF-T定单；年首台ALD出厂到客户端；年首台3DNandPECVD出厂到客户端；年12英寸ALD得到客户端14nm工艺考证；截止年9月，公司研发的PECVD、ALD及SACVD征战系列产物已累计发货超台，公司手艺人员共人，占比达74.13%。

公司半导体薄膜堆积征战手艺目标已到达国际厂商征战程度。公司详细产物包罗等离子体加增强学气相堆积（PECVD）征战、原子层堆积（ALD）征战和次常压化学气相堆积（SACVD）征战三个系列。在PECVD征战范畴，公司产物能够适配-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM等工艺需求，能够兼容SiO2、SiN等多种反响材料；在ALD征战范畴，公司的PE-ALD当前已适配55-14nm逻辑芯片建造工艺需求，能够堆积SiO2和SiN材料薄膜；在SACVD征战范畴，公司产物能够堆积BPSG、SAF材料薄膜，适配12英寸40/28nm及8英寸90nm以上的逻辑芯片工艺需求。

中微公司研宣布局薄膜商场。中微公司持有拓荆科技8.4%股权，是其第三大股东。依照公司定增公布，中微公司CVD研发项目包罗HPCVD、导体薄膜LPCVD、ALD、EPI等征战的开拓及工艺应用开拓。项目由公司副总裁级主管人员牵头把持，其占有25年以上的半导体从业阅历，在主机平台和MOCVD征战上有着丰裕的阅历。

五、荡涤征战：去除晶圆片表面杂质，各制程前后均需操纵

荡涤机是将晶圆表面上构成的颗粒、有机物、果然氧化层、金属杂质等浑浊物去除，以得到所需干净表面的工艺征战。从工艺应用上来讲，荡涤机当前已遍及应用于集成电路建造工艺中的成膜前/成膜后荡涤、等离子刻蚀后荡涤、离子注入后荡涤、化学呆板抛光后的荡涤和金属堆积后荡涤等各个关节。晋级方位：高效且无损。在往时的25年中，跟着制程晋级，晶圆湿法荡涤变得越来越繁杂和高效。荡涤需求强力有用，还要节减对晶圆表面的损伤。干净关节占半导体工艺统统处置关节1/3，至多曾经到达次。险些统统制程的前后都需求荡涤关节。

依照Gartner，年寰球荡涤征战商场范围为34.17亿美元，年受寰球半导体行业景心胸下行的影响，下落为30.49亿美元。瞻望年寰球半导体行业苏醒，半导体荡涤征战行业将展现增加趋向，商场范围瞻望在年到达31.9亿美元。商场份额来看，日本迪恩士一家份额到达45%，迪恩士、东京电子、SEMES三家共计份额超越85%。

盛美上海——国内半导体荡涤征战龙头。5年，美国ACMR在上海投资设立公司的前身盛美有限，并将其前期研发构成的半导体专用征战干系手艺操纵权投入盛美有限。此后公司在半导体专用征战范畴深耕多年，已在半导体专用征战多个细分范畴实行攻破，公司的兆声波单片荡涤征战、单片槽式组合荡涤征战及铜互连电镀工艺征战范畴的手艺程度到达国际先进程度，紧要产物也得到以海力士、中芯国际、长江保存、长电科技等为代表的国表里干流半导体厂商的认同。

毗邻研发投入和手艺积攒，产物线渐渐丰裕。公司经历量年毗邻的研发投入和手艺积攒，前后开拓出了单片荡涤、槽式荡涤以及单片槽式组合荡涤等荡涤征战，用于芯片建造的前道铜互连电镀征战、后道先进封装电镀征战，以及用于先进封装的湿法刻蚀征战、涂胶征战、显影征战、去胶征战、无应力抛光征战及立式炉征战等。至纯科技——深耕高纯工艺系统二十余年，国内高纯工艺系统的处置商量供应商。至纯科技设立于0年，经历20多年熟稔业内的深耕，公司在高纯工艺系统辖域曾经构成了较强比赛上风，紧要效劳于一线集成电路用户，比赛敌手也均为国际厂商。在湿法配备范畴，公司连年投入高强度资本施行自立研发，曾经完备了湿法工艺全系列的征战。公司主交易务包罗高纯工艺系统、半导体湿法荡涤征战研发、光传感应用及干系光学元器件的研发、临盆和出售。公司产物包罗高纯工艺系统、半导体湿法荡涤征战、光纤传感器及光电子元器件、晶圆复活生意。高纯工艺系统供应精湛建造所需的各种高纯介质，系统的前端毗邻高纯介质储蓄安装，系统的末端毗邻客户自购的工艺临盆征战。半导体湿法征战包罗湿法槽式荡涤征战及湿法单片式荡涤征战，跟着制程的晋级，晶圆荡涤关节也愈加繁杂，荡涤征战及工艺也在不停迭代。光纤传感器及光电子元器件方面，是由子公司波汇科技研发、临盆及出售。晶圆复活范畴，公司合肥晶圆复活项目基地基本扶植告竣，晶圆复活和腔体部件荡涤及表面处置项目也曾经基本通线待试临盆。

半导体征战生意发力，湿法征战毗邻放量。至纯科技年湿法征战定单到达11.2亿元，yoy+.3%。公司自年发端布局湿法征战，年初次拿到亿元级别定单，年定单超越5亿，年超越11亿元，定单的高速增加凸显公司手艺本事。公司在28nm节点已得到悉数工艺征战定单，在14nm如下制程也得到4台湿法征战定单。年公司单片湿法征战和槽式湿法征战终年出货超越97台。12英寸湿法征战新增定单金额超越6亿元，个中单片式湿法征战新增定单金额超越3.8亿元。（汇报原因：来日智库）

六、经历管束：建造经历的确切性检

测经历管束：半导体晶圆建造经历中不同工艺此后，偶尔需求施行尺寸丈量、毛病探测等，用于工艺管束、良率办理，请求快速、确切。尺寸丈量、毛病探测等应用于每道制程工艺此后。IC量测征战用于工艺管束、良率办理，探测请求快速、确切、非摧残。IC量测在起色经历中，在尺寸微缩、繁杂3D、新式材料方面面对各种手艺难点，面对诸如保存、CIS、化合物半导体等不同半导体探测等多种需求不停晋级。IC量测征战的手艺种别包罗探针显微镜、扫描/透射电镜、光学显微镜、椭偏/散射仪等，手艺起色方位包罗毗连现有的非摧残丈量手艺，电镜方面促成并行电子束手艺，散射仪向EUV、X射线伸长以节减波长，并毗连多种丈量机谋和呆板研习实行搀杂丈量等。

尺寸丈量：丈量关键尺寸（CDcriticaldimension）、膜厚度（thickness）、应力（stress）、折射率（refractiveindex）、路子遮盖（stepcoverage）、来往角度（contact-angle）…无图形毛病探测：颗粒（particle）、残留物（residue）、刮伤（scratch）、警戒原生凹坑（COP）等等。有图形毛病探测：短线（break）、线边毛病（bite）、桥接（bridge）、线形改变（Deformation）等等。

经历管束在IC建造征战占比约11~13%，毗邻有晋级需求。年寰球经历管束征战商场空间约73亿美元，个中光刻干系（套刻过失量测、掩膜板丈量及探测等）干系需求约20亿美元、毛病探测需求约39亿美元、膜厚丈量需求约11亿美元。经历管束商场中在寰球商场比例基本保持在11~13%之间，相对不变，跟着制程微缩、3D重叠促成，晶圆建造关于量测、探测需求不停增多，精度请求也不停提高，经历管束征战毗邻有晋级需求。

寰球经历管束商场紧要由外埠龙头KLA主宰。依照SEMI，寰球经历管束紧要赛道由外埠厂商主宰并独霸，KLA在大多细分范畴具备显然上风，其余AMAT、ASML、Nova、Hitachi也有所布局。国内公司上海精测、睿励科学、中科飞测、赛腾股分等紧要布局。

上海精测增资加快布局，聚焦半导体前道测试征战。上海精测设立于年7月，紧要布局半导体前道测试，以椭圆偏振手艺为重心开拓了合用于半导体产业级应用的膜厚丈量以及光学关键尺寸丈量系统。上海精测半导体手艺有限公司常务副总司理马骏，原任天马微电子辅助总司理。在年9月增资5.5亿的公布商量中，马骏认缴出资额万元，与上海精测高度绑定。年12月终，公司定增再次增资上海精测，增资告竣后，上海精测备案资本将由7.5亿元增多至13.7亿元。

上海精测周全布局膜厚及OCD探测、SEM探测等手艺方位。公司产物筹办途径明晰，手艺遮盖面齐备。在膜厚方面，上海精测曾经推出了膜厚探测征战、OCD探测征战等多款半导体丈量征战。手艺演进途径从膜厚探测的EFILMUF到EFILMIM，再到EFILMSS/DS，再到OCD丈量的EPROFILEFD，机能愈加丰裕，精湛度渐渐提高。在电子光学SEM探测方位，公司已于年关托付首台电子束探测征战、年托付首台OCD征战。

首款半导体电子束探测征战年关正式托付。随集成电路工艺节点促成，光学毛病探测征战已没法知足大范围临盆和先进制程开拓需求。上海精测从自立研发的电子束探测征战eViewTM全主动晶圆毛病复查征战，采纳了扫描电子显微镜手艺，具备超高分辩率，可用于10xnm及如下集成电路制程的工艺毛病主动探测。其余，征战搭载可自立开拓的基于深度神经网络的AI算法，提高毛病分类确切度；应用崭新超低压EDSX射线探测手艺，实行轻量元素高分辩率分析。这一征战也是国内首台占有绝对自立常识产权的半导体前道探测征战。

年，公司出货国内首台OCD征战。年7月13日，公司首台12寸自力式光学线宽丈量征战（OCD）与国内唯独12寸全主动电子束晶圆毛病复查征战（ReviewSEM）告成出机。12寸自力式光学线宽丈量机台(OCD)是该类别的国内首台机台，紧要用于45nm如下、希奇是28nm平面CMOS工艺的量测，并能够伸长扶助上述先进工艺节点的快速线宽丈量。EPROFILEFD丈量系统占有绝对自立常识产权，包罗宽谱全穆勒椭偏测头、对焦对位系统、系统软件等重心零部件均为自立研发，是真实意义上的高端国产化机台。

睿励科学设立于5年，埋头于半导体量测探测征战。睿励的主营产物为光学膜厚丈量征战和光学毛病探测征战，以及硅片厚度及翘曲丈量征战等。睿励自立研发的12英寸光学丈量征战TFX0系列产物，已应用在65/55/40/28纳米芯片临盆线并在施行了14纳米工艺考证，在3D保存芯片产线扶助64层3DNAND芯片的临盆，并正在考证96层3DNAND芯片的丈量功用。年3月，睿励得到中微公司1亿元投资，其余股东包罗浦东科创、张江科投、国度大基金、上海创投、上海国盛等一众闻名财产投资机构。

年4月18日，睿励首台自立研发的高精度光学毛病探测征战（WSD）装箱出货，托付国内闻名客户，这是睿励研发的光学毛病探测征战投入集成电路晶圆毛病探测商场的强大攻破。年6月，公司自立研发的第三代光学膜厚丈量征战TFX0i托付征战。干系于早已实行批量临盆的TFX0P，TFX0i毗连操纵了与TFX0P不异的主框架及软件架构，最大程度保持了二代产物的优质丈量功用和靠得住性，同时TFX0i新增多了反射丈量模块和深紫外丈量模块，具备更宽的光谱范畴，涵盖了更遍及的工艺段应用，能够知足更先进的工艺请求。

中科飞测总部位于深圳龙华区，自立研发针对临盆原料管束的寰球超过的光学探测手艺，以产业智能探测征战为重心产物。公司最具代表的产物和效劳有：三维描述量测系统SKYVERSE-系列，表面毛病探测系统SPRUCE系列，智能视觉毛病探测系统BIRCH系列，3C电子行业精湛加工玻璃手机外壳探测系统TOTARA系列，公司产物曾经得到国内多家顶尖先进封装厂商的征战验收及批量定单，填补了国内集成电路先进封装探测征战在高端商场的空白。

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